SK海力士公布远景产品线路图 DDR6内存最快2029年到来
我要评论SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的海力长期发展规划，提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场，布远同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD，景产他们公布的品线产品线路图涵盖了HBM、DRAM和NAND，存最有面向传统市场的快年标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品，下面我们一起来看看他们的海力线路图。
在2026至2028年，布远SK海力士计划推出16层堆叠的景产HBM 4以及8层、12层和16层堆叠的品线HBM4E，还有定制款的存最HBM4E。在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存，快年面向AI市场的海力有LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、布远LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。景产在NAND方面，他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD，企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD，以及面向移动设备的UFS 5.0闪存，面向AI市场有专用的高密度NAND。
在2029至2031年，SK海力士计划推出HBM5、HBM5E以及其定制版本，这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部，从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。
DRAM市场方面，线路图上出现了GDDR7-Next，并不是GDDR8，所以应该是GDDR7的升级版，目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps，而标准的上限是48Gbps，还有很大潜力可以挖掘，也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内，说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。
NAND方面，线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD，UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND，还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。
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